點擊收聽美光科技 2025Q3 業績電話會議回放 $ 美光科技 ( MU ) $

桑杰 · 梅赫羅特拉

大家下午好。美光公司強大的競爭地位和穩健的執行力在第三財季實現了創紀錄的營收，營收、毛利率和每股收益均超過了我們預期的上限。

數據中心收入同比增長逾一倍，創下歷史新高，面向消費者的市場也實現了強勁的環比增長。我們在本季度實現了可觀的自由現金流，同時我們繼續進行對維持長期增長至關重要的戰略投資。我感謝所有美光團隊成員的專注和執行力，正是他們的付出才成就了這些業績。

在第三財季，DRAM 收入創下新高，這得益于 HBM 收入環比增長近 50%。我們仍然是數據中心 LPDRAM 量產的唯一供應商。在 NAND 領域，我們在第一季度創下了數據中心 SSD 和客戶端 SSD 市場份額的新季度紀錄。根據第三方數據，美光科技在第一季度首次成為數據中心 SSD 市場份額排名第二的品牌。展望第四財季，我們看到了強勁的需求環境，預計收入將環比增長 15%，達到創紀錄的 107 億美元（指引中值）。

今年 6 月，我們圍繞關鍵細分市場完成了業務部門的戰略重組，以把握未來巨大的人工智能增長機遇。隨著高性能內存和存儲對于推動人工智能驅動的創新日益重要，這一新架構將增強美光與客戶更深入互動的能力，將更多資源轉移到我們產品組合中以人工智能為中心的機會上。我們在 1-gamma DRAM 技術節點上取得了顯著進展，良率增速超過了我們在 1-beta 節點上創下的紀錄。

我們在本季度完成了多項關鍵產品里程碑，包括首批基于 1-gamma 工藝的 LP5 DRAM 的合格樣品出貨。美光 1-gamma DRAM 采用 EUV 技術，與 1-beta DRAM 相比，該節點的位密度提升了 30%，功耗降低了 20% 以上，性能提升高達 15%。我們將在整個 DRAM 產品組合中采用 1-gamma 工藝，以受益于這項領先技術。在 NAND 領域，我們在本季度實現了 QLC 位組合的最高紀錄。我們

開始對基于我們的 G9 2 太比特 QLC NAND 的新型高性能 SSD 產品進行資格認證，并且我們將繼續以與需求一致的速度提升我們的 G9 節點。

我們正在對我們的全球運營網絡進行有紀律的投資，以便隨著時間的推移根據需求增加供應。兩周前，在特朗普政府的支持下，美光公司宣布計劃在未來 20 多年在美國投資約 2000 億美元，其中包括 1500 億美元用于制造，500 億美元用于研發。作為這項 2000 億美元投資計劃的一部分，美光公司計劃在之前宣布的計劃之外額外投資 300 億美元，其中包括在愛達荷州博伊西市建造第二座尖端內存工廠；擴建和現代化我們位于弗吉尼亞州馬納薩斯的現有工廠，服務于汽車、航空航天、國防和工業市場；并在美國運營部門建立足夠的 DRAM 晶圓規模后，將先進的封裝能力帶到美國以支持我們的長期 HBM 增長計劃。

我們很高興，在此次公告中，我們的客戶和生態系統合作伙伴對我們的技術、產品和投資計劃給予了高度認可。我們在愛達荷州的首家晶圓廠 ID1 已于今年 6 月實現了又一個重要的建設里程碑。我們預計 ID1 將于 2027 年下半年開始產出首批 DRAM 晶圓，隨后將獲得客戶資質。愛達荷州的第二家晶圓廠 ID2 將受益于 ID1 的規模化生產經濟效益，并結合研發中心的共址優勢，從而提高效率并縮短產品上市時間。為了滿足預期需求，ID2 將先于紐約第一家晶圓廠投產。我們預計將于今年晚些時候在紐約州完成州和聯邦政府的環境評估后，開始在紐約州進行土地準備工作。

談到我們的終端市場。在數據中心方面，我們預計 2025 財年服務器市場出貨量將實現中等個位數百分比增長，這主要得益于人工智能服務器的顯著增長。在第三財季，數據中心 DRAM 收入連續第四個季度創下新高，這得益于 HBM 的強勁增長和份額增長，以及我們行業領先的高容量 DIMM 和低功耗服務器 DRAM 產品組合的強勁表現。

我們的 HBM 產能提升和產品開發路線圖正在順利推進。HBM3E 12 英寸的良率和產量提升進展順利，預計第四季度出貨量將實現交叉。我們預計在 2025 年下半年，HBM 的市場份額將達到與整體 DRAM 市場份額相當的水平。

在本月早些時候 AMD 舉辦的 Advancing AI 活動上，我們宣布美光科技的 36GB 12 位高 HBM3E 存儲器已被 AMD 的 Instinct MI355X GPU 平臺采用。目前，我們正在向四家客戶批量出貨 HBM，涵蓋 GPU 和 ASIC 平臺。

隨著生成式 AI 工作負載的規模和復雜性不斷增長，對 HBM 的性能需求也不斷提升。美光 HBM4 采用我們成熟的 1-beta DRAM 技術，并結合內部開發和制造的先進 CMOS 邏輯基片，可提供每內存堆棧每秒超過 2 TB 的帶寬，性能比上一代產品提升 60% 以上。

此外，美光 HBM4 的功耗較我們 HBM3E 12 位高產品上業已領先的功耗性能降低了 20%，為同類產品樹立了新的能效標桿。HBM4 的擴展接口有助于實現快速通信和高吞吐量設計，從而加速大型語言模型和思維鏈推理系統的推理性能。美光已向多家客戶交付 HBM4 樣品，預計將于 2026 年實現量產，與客戶的計劃保持一致。

我們為 HBM4 的量產做好了充分準備。基于 HBM3E 量產的成功，我們擁有高質量、經過現場驗證的技術，并實現了 HBM 產能的強勁且顯著提升。我們與幾乎所有 HBM 主要客戶都建立了深厚的合作關系，并以卓越的執行力贏得了他們的信任，交付了全球功耗最低、性能最高的 HBM。

我們的高容量 DIMM 和低功耗服務器 DRAM 解決方案產品組合在本季度再創營收紀錄。美光科技率先在服務器領域采用 LPDRAM，并將繼續保持服務器 LP DRAM 的唯一供應商地位。我們的高容量 DIMM 和 LP 服務器產品在 2025 財年已創造了數十億美元的營收，與去年同期相比實現了五倍的顯著增長。

在第一季度，美光科技連續第三個季度創下數據中心固態硬盤 ( SSD ) 市場份額新高，這得益于我們通過垂直整合實現的差異化產品組合。在第三財季，我們的數據中心 9550 高性能固態硬盤 ( SSD ) 已入選 NVIDIA GB200 NVL72 推薦供應商名單，并已完成多家原始設備制造商 ( OEM ) 的客戶認證。美光科技 9550 固態硬盤為人工智能 ( AI ) 服務器系統提供業界領先的性能和節能的第五代數據中心存儲解決方案。我們將繼續提升 6550 ION 60TB 容量固態硬盤的客戶認證，并持續提升其收入。

再來看看 PC 市場。我們預計到 2025 年，PC 市場出貨量將以低個位數百分比增長。未來幾個季度，推動增長的關鍵因素包括人工智能 PC 的普及率不斷提高以及 Windows 11 的升級周期。

美光科技致力于為 PC 市場帶來差異化的高性能產品。我們強大的 SSD 產品組合助力美光科技在第一季度創下客戶端 SSD 市場份額新高。明天，我們將發布全新 G9 QLC 2TB SSD，該 SSD 采用我們專有的自適應寫入技術，可將寫入性能提升 4 倍。這項技術在大多數消費用例中提供與 TLC NAND 相當的性能，從而拓展了 QLC SSD 的潛在市場。

談到移動領域。我們預計到 2025 年，智能手機出貨量將實現低個位數增長。人工智能的普及仍然是智能手機 DRAM 容量增長的關鍵驅動力，我們預計未來將有更多智能手機的容量達到或超過 12GB，而目前普通智能手機的容量僅為 8GB。美光專注于為高端智能手機市場提供解決方案，并利用我們領先的 1-beta 和 1-gamma 技術節點（用于 LP5X DRAM）以及 8G 和 9G 技術節點（用于 UFS 4 NAND 產品）。

本季度，我們開始出貨業界首款基于 1 伽馬節點構建的 LP5X 內存的合格樣品，該內存為 2026 年的旗艦智能手機提供廣泛的容量和業界領先的速度等級。美光的 1 伽馬 LP5X DRAM 旨在加速高端設備中的 AI 應用，在多個用例中提供超過 25% 的更快推薦速度，同時降低 20% 的功耗，所有這些都集成在超薄外形中，非常適合移動設備。在 NAND 領域，我們贏得了關鍵客戶的設計訂單，并加快了基于 G9 的 UFS 4 產品的量產。本季度，我們移動產品組合的實力得到了 7 家智能手機 OEM 廠商頒發的最高質量獎項的進一步認可。

轉向汽車、工業和消費嵌入式市場。我們預計，L2 和 L3 ADAS 功能以及支持 AI 的車載信息娛樂系統的采用將日益增長，這將推動內存和存儲內容的增長以及更高的帶寬需求。美光科技憑借其新產品的推出，例如業界首款支持 9.6 Gb/s 高速傳輸的 1-beta 雙通道 LP5 DRAM，已于本季度達到量產狀態，從而為在汽車市場取得長期成功奠定了基礎。在工業領域，隨著客戶加大對 AI 應用的投資，包括在工廠自動化等關鍵領域，我們看到了增長的恢復。在 D4 和 LP4 供應受限以及分銷渠道庫存較低的市場背景下，美光科技正在推動價格改善。

現在談談我們的市場展望。終端市場的客戶庫存水平總體健康，部分客戶可能因關稅相關因素而采取了一些措施。我們的客戶繼續暗示今年剩余時間的需求環境良好，我們將繼續保持靈活應對宏觀環境或不斷變化的關稅相關形勢可能帶來的任何不可預見的需求變化。

我們預計 2025 年行業 DRAM 位元需求增長率將達到 15% 左右，而行業 NAND 位元需求增長率將達到兩位數左右。我們預計美光的非 HBM DRAM 和 NAND 位元供應增長率將低于行業需求增長率。中期來看，我們預計 DRAM 和 NAND 的行業位元需求增長率均為 15% 左右。

正如之前所述，我們高效的節點轉換將導致 2025 財年末的 NAND 晶圓產能較 2024 財年末的水平結構性下降 10%。此外，鑒于 NAND 技術轉型將顯著提高整體位輸出，美光計劃以符合我們需求的節奏有序管理節點轉換。

最近的新聞報道討論了 D4 和 LP4 產品的停產。美光科技的尖端 DRAM 節點（例如 1-beta 和 1-gamma）專注于最新一代產品，例如 D5、LP5 和 HBM，并未用于生產 D4 和 LP4。D4 和 LP4 產品主要采用我們的 1-alpha DRAM 節點生產。美光科技幾個月前已向移動、客戶端、數據中心和消費等高容量細分市場的客戶發送了這些產品的停產通知，最終發貨時間將在 2 到 3 個季度后。

此次停產流程與以往內存產品從一代過渡到另一代的流程類似，并且與以往一樣，美光科技計劃在未來幾年內繼續供應這些 1-alpha DRAM 產品，以支持其在汽車、工業、國防和網絡等領域長期且需求相對較低的長期合作伙伴客戶。短期內，高容量細分市場的客戶將開始面臨 D4 產品日益短缺的局面。我們目前正在為這些產品分配庫存，并正在與客戶合作，努力滿足他們近期的高優先級需求。在 2025 財年下半年，D4 產品的收入占我們總收入的比例僅為個位數。我們預計，LP4 產品的短缺情況也可能因停產而加劇。

最后，美光創紀錄的第三季度營收表現和強勁的第四季度前景，都源于我們戰略重點和持續執行的成果。隨著人工智能推動對高性能內存和存儲前所未有的需求，美光已做好準備，抓住這一變革時代的機遇。我們在技術方面的領先地位，尤其體現在 HBM、1-gamma DRAM 和 G9 方面的進步。

NAND 以及嚴謹的全球制造業投資，支撐著我們持續增長。我們相信，我們的戰略方向、創新能力以及卓越團隊的執行力，將繼續為股東、客戶和員工創造富有意義的價值。我們有望在 2025 財年實現創紀錄的營收、穩健的盈利能力和自由現金流，同時我們將加大投資，鞏固我們的領導地位，以滿足日益增長的人工智能驅動的內存需求。

現在我將把我們的財務業績和展望交給馬克。

馬克 · J · 墨菲

謝謝，桑杰，大家下午好。美光公司第三財季業績強勁，營收、毛利率和每股收益均高于我們上次財報電話會議中給出的預期上限。

第三財季總收入為 93 億美元，比上一季度增長 15%，比去年同期增長 37%，創下美光公司季度收入新高。環比收入增長得益于我們終端市場的增長，包括創紀錄的數據中心收入和面向消費者的市場環比強勁增長。第三財季 DRAM 收入為 71 億美元，比去年同期增長 51%，占總收入的 76%。環比增長 15%，位出貨量增長超過 20%，價格下降幅度在低個位數百分比范圍內，這主要由于面向消費者的收入結構增加。第三財季 NAND 收入為 22 億美元，比去年同期增長 4%，占美光公司總收入的 23%。環比增長 16%，位出貨量增長在 25% 左右，價格下降幅度在高個位數百分比范圍內。

現在轉向按業務部門劃分的收入。計算和網絡業務部門收入為 51 億美元，環比增長 11%，創下季度新高。這一業績得益于 HBM 環比增長近 50%，以及高容量 DRAM 和低功耗服務器 DRAM 的增長。存儲業務部門收入為 15 億美元，環比增長 4%。這一增長主要得益于面向消費者的收入增長。移動業務部門收入為 16 億美元，環比增長 45%。環比收入增長是由于客戶庫存減少以及 DRAM 內容增長帶來的強勁需求。嵌入式業務部門收入為 12 億美元，環比增長 20%，這得益于工業和消費嵌入式市場的增長。

第三財季綜合毛利率為 39%，環比增長 110 個基點，較我們預期中值增長 250 個基點。毛利率高于我們預期區間的上限，主要得益于 DRAM 和 NAND 價格的上漲，但部分抵消了消費者導向產品組合的提升。

第三財季運營費用為 11 億美元，環比增加 8700 萬美元，符合我們的預期范圍。增長主要源于研發投入和勞動力相關成本的增加。第三財季我們實現了 25 億美元的運營利潤，運營利潤率為 26.8%，環比增長約 190 個基點，同比增長 13 個百分點。

第三財季稅費為 3.06 億美元，實際稅率為 12.3%，低于我們的預期，原因是本季度一次性單項項目的影響。第三財季非公認會計準則攤薄每股收益為 1.91 美元，高于預期區間上限，環比增長 22%，同比增長超過 200%。

談到現金流和資本支出。在第三財季，我們的運營現金流超過 46 億美元，資本支出為 27 億美元。本季度自由現金流超過 19 億美元，創下六年來的最高季度水平。第三財季期末庫存為 87 億美元，庫存周轉天數為 139 天。受 DRAM 和 NAND 出貨量環比強勁增長的推動，庫存環比下降 2.8 億美元，庫存周轉天數環比下降 19 天。

資產負債表顯示，截至本季度末，我們持有創紀錄的 122 億美元現金和投資，并將尚未動用的信貸額度計入，流動性維持在 157 億美元。在第三財季，我們為 9 億美元的 2027 年到期票據進行了再融資，發行了 17 億美元的新票據，這些票據將于 2033 財年和 2036 財年到期。本季度末，我們的債務總額為 155 億美元，保持了較低的凈杠桿率，加權平均債務到期日為 2032 年。

現在談談我們對第四財季的展望。我們預計收入增長將主要來自 DRAM，這得益于強勁的定價執行、良好的產品組合以及持續的成本優化，所有這些都將有利于毛利率的提升。第四財季的運營支出預計約為 12 億美元，環比增長主要得益于未來技術節點和 HBM 產品開發的研發投入。

我們的 2025 財年資本支出計劃保持不變，約為 140 億美元。2025 財年資本支出的絕大部分將用于支持 HBM 以及設施、建設、后端制造和研發投資。我們預計第四季度的稅收

稅率約為 13%。如前所述，由于新加坡采用全球最低稅率，我們預計 2026 財年的稅率將處于 15% 左右。任何因潛在新關稅而產生的影響均未納入我們的預期。

綜合考慮所有這些因素，我們對第四財季的非公認會計準則 ( Non-GAAP ) 業績指引如下：我們預計營收為 107 億美元，上下浮動 3 億美元；毛利率在 42% 左右，上下浮動 100 個基點；運營支出約為 12 億美元，上下浮動 2000 萬美元。我們預計第四財季稅率約為 13%。基于約 11.5 億股的股票數量，我們預計每股收益為 2.50 美元，上下浮動 0.15 美元。

由于預計第四財季出貨量將再次增長，我們預計 2025 財年結束時 DRAM 庫存將保持緊張，NAND 庫存將大幅減少，公司整體 DIO 將接近我們的目標水平。在庫存較低且需求環境良好的情況下，我們將繼續專注于改善定價并進一步強化產品組合。

在第三財季，美光科技的盈利超出預期，收入創歷史新高，并持續提升我們行業領先的 HBM 產能。我們還開始轉型至以細分市場為重點的新業務部門結構。從第四財季開始，我們將公布這些新業務部門的收入、毛利率和營業利潤率指標。憑借強大的執行力和差異化的產品組合，美光科技已做好準備，在第四財季再次保持領先地位，并實現創紀錄的收入和顯著提升的盈利能力。感謝各位今天的參與。

( 這份記錄可能不是 100％的準確率，并且可能包含拼寫錯誤和其他不準確的。提供此記錄，沒有任何形式的明示或暗示的保證。表達的記錄任何意見并不反映老虎的意見 )